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28.07.2017 Klaus Lorbeer/pi

Western Digital kündigt X4-Technologie mit vier Bits pro Speicherzelle für 3D-NAND an

Western Digital gibt die erfolgreiche Entwicklung einer Flash-Memory-Architektur mit vier Bits pro Zelle, X4, bekannt, die auf 64-Layer 3D NAND BiCS3-Technologie beruht. Mit dieser Ankündigung baut das Unternehmen baut auf die X4-Expertise bei 2D NAND auf und will seine Position als Branchenführer im Bereich Multi-Level-Cell-Storage festigen.

Western Digital 3D NAND

Western Digital 3D NAND

© Western Digital

Basierend auf der innovativen X4-Technologie für 2D NAND hat der Speichertechnikspezialist Western Digital nun X4 für 3D NAND entwickelt und dabei auf seine Kompetenzen im Bereich vertikale Integration zurückgegriffen. Dazu gehören die Verarbeitung von Siliziumwafern, der technische Aufbau der Geräte, um 16 verschiedene Datenzustände in jeder Speicherzelle bereitzustellen, sowie die Systemkompetenz für das gesamte Flash-Management. Die BiCS3-X4-Technologie ermöglicht eine branchenführende Storage-Kapazität von 768 Gigabit auf einem einzelnen Chip, was eine 50-prozentige Steigerung gegenüber dem vorherigen 512-Gigabit-Chip bedeutet, der mit einer Kapazität von drei Bits pro Zelle, X3-Architektur, realisiert wurde.

Western Digital wird die wechselbaren Speicher und Solid-State-Laufwerke mit BiCS3 X4 und System-Ressourcen im August auf dem Flash-Memory-Summit im kalifornischen Santa Clara vorstellen.

Größere Auswahl an Storage-Lösungen
"Die Implementierung der X4-Architektur auf BiCS3 ist für Western Digital ein wichtiger Entwicklungsschritt, da sie unsere Führungsposition im Bereich NAND-Flash-Technologie unterstreicht. Außerdem ermöglicht sie uns eine größere Auswahl an Storage-Lösungen für unsere Kunden bereitzustellen", sagt Siva Sivaram, Bereichsleiter Memory Technology bei Western Digital. "Der wichtigste Aspekt der heutigen Ankündigung ist der Einsatz innovativer Techniken für die X4-Architektur, mit denen unsere BiCS3-X4-Leistungsattribute bereitstellen kann, die mit BiCS3 X3 vergleichbar sind. Die Schließung der Leistungslücke zwischen X4- und X3-Architekturen ist ein wichtiger und unterscheidender Faktor für uns und sollte dazu beitragen, in den nächsten Jahren eine größere Marktakzeptanz für X4 zu erreichen."

Diese letzte Neuerung folgt auf ein seit nahezu drei Jahrzehnten bestehendes Vermächtnis an Erstinnovationen im Bereich Flash, wozu auch die Multi-Level-Cell (MLC) -Flash-Technologien mit zwei Bits (X2) und drei Bits (X3) pro Zelle zählen.

Das Unternehmen erwartet, dass seine 3D-NAND-X4-Technologie in einer Vielzahl von Endnutzer-Anwendungen eingesetzt werden kann, welche die von X4 unterstützten höheren Kapazitäten nutzen. Auch zukünftige Generationen der 3D-NAND-Technologie, darunter 96-Layer BiCS4, sollen ebenfalls X4-Ressoucen nutzen können.

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