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05.01.2011 Rudolf Felser

Infineon schützt USB 3.0 Highspeed-Anschlüsse

Eine neue Diode von Infineon schützt USB 3.0 Highspeed-Anschlüsse laut den Angaben "extrem reaktionsschnell" vor elektrostatischer Entladung "bei bester Signalqualität".

Schnelle Schnittstellen sind heute angesichts der riesigen Datenmengen die auch private Nutzer hin und her bewegen gefragter denn je. CD und DVD haben vielerorts ausgedient und wurden durch die praktischen USB-Sticks und -Festplatten ersetzt. Mit einer Übertragungsrate von bis zu fünf Gigabit pro Sekunde ist USB 3.0 etwa zehnmal so schnell wie die Anschlüsse der zweiten Generation, benötigt aber nur rund ein Drittel der elektrischen Energie. Aufgrund ihres Designs sind die neuen USB-Anschlüsse allerdings besonders anfällig für elektrostatische Entladungen. Schon durch die bloße Berührung mit der Hand kann ein Stromimpuls entstehen und die frei werdende Energie das Gerät beschädigen oder im schlimmsten Fall unbrauchbar machen. Was für den Nutzer ärgerlich ist, kann für Hersteller im Falle von Produktrückrufen und Imageproblemen richtig teuer werden.

Die neue Schutzdiode ESD3v3u4ulc von Infineon springt hier in die Bresche und soll frei werdende Energie von elektrostatischen Entladungen (Electrostatic Discharge – ESD) absorbieren. Auf diese Weise schützt sie Geräte vor Schäden am USB-Port. Dank einer besonders niedrigen Klemmspannung und des laut Infineon niedrigsten dynamischen Widerstands (0,23 Ohm) aller derzeit auf dem Markt verfügbaren Produkte, reagiert die Diode im Falle einer Entladung besonders wirkungsvoll. Die Absorptionsfähigkeit von 20 kV übertrifft den höchsten Industriestandard (8 kV) nach IEC 61000-4-2. Trotz dieser herausragenden Schutzleistung soll die ESD3v3u4ulc die Signalqualität der High-Speed-Verbindung kaum beeinträchtigen. In herkömmlichen Lösungen führe ein effektiver Schutz zu einer Minderung der Signalintegrität und damit zu einer schlechteren Qualität des Highspeed-Signals, so Infineon in einer Aussendung.

Bei der ESD3v3u4ulc greift Infineon außerdem auf eine seiner neuesten Gehäusetechnologien zurück. TSLP-9-1 ermöglicht ein optimales Leiterplattenlayout, bei dem eine Diode bis zu vier Leitungen simultan schützt. Gerade für Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen trägt ein geeignetes Gehäuse dazu bei, dass Signale schnell und ohne Qualitätsverluste übertragen werden können.

Die Schutzdiode ESD3v3u4ulc ist ab Januar 2011 in Volumenstückzahlen verfügbar, der Preis fängt bei 0,60 Dollar bei bei Abnahme von 10.000 Stück an. (pi/rnf)

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