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23.02.2015 pte

Hightech-Transistor auf Silicen-Basis entwickelt

Das zum Nationalen Forschungsrat CNR gehörende Istituto di Microelettronica e Microsistemi hat zusammen mit der University of Texas einen Transistor auf Silicen-Basis entwickelt. Als Vorteil gilt vor allem die Möglichkeit, dieses Verstärkerelement in stark miniaturisierte nanoelektronische Geräte intergrieren zu können.

Silicen: zweidimensionales Material aus Silizium-Atomen.

Silicen: zweidimensionales Material aus Silizium-Atomen.

© 2dnanolattices.eu

Bei Silicen handelt es sich um ein zweidimensionales Material aus Silizium-Atomen. "Das Problem liegt darin, das Material von seinem Untergrund zu lösen und auf eine kompatible Plattform zu übertragen", so Projektleiter Alessandro Molle. Die von den Forschern gefundene Lösung besteht aus zwei Schritten: Zunächst wird das Silicen mit einer Schutzschicht aus Aluminiumoxid überzogen. Danach wird ein zwischen Alluminiumoxid und einer hauchdünnen Silberplättchen eingebettetes Silicenstäbchen extrahiert.

Es entsteht so etwas wie ein Sandwich, das anschließend auf eine aus Siliziumoxid bestehende Oberfläche aufgetragen wird, wobei die Silberschicht nur an den als Elektroden dienenden Kontaktstellen verbleibt. "Am Ende dieses Vorgangs fungiert das Silicen wie ein Übertragungskanal und übernimmt damit die Eigenschaften eines elektrischen Leiters", verdeutlicht Molle. Die Erfindung öffne neue Wege, immer kleinere und schnellere digitale Apparate zu produzieren.

Die Untersuchung ist Teil des europäischen Forschungsprojektes "2D-Nanolattices". Sie wurde in enger Zusammenarbeit mit dem Istituto di Struttura della Materia und der Universität Berlin durchgeführt. Einzelheiten können in der Fachzeitschrift "Nature Nanotechnology" nachgelesen werden. (pte)

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