Infineon errichtet globales Kompetenzzentrum für neue Halbleitertechnologie in Österreich Infineon errichtet globales Kompetenzzentrum für neue Halbleitertechnologie in Österreich - Computerwelt

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Infineon errichtet globales Kompetenzzentrum für neue Halbleitertechnologie in Österreich

Investition von 35 Millionen Euro in Villach für Forschung, Entwicklung und Fertigung von Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitern.

Bis zu 80 Prozent geringere Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten.

Bis zu 80 Prozent geringere Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten.

© Infineon

Als weltweiter Marktführer bei Leistungshalbleitern intensiviert

Infineon Technologies seine Aktivitäten, um robuste, noch effizientere

und leistungsstärkere Produkte aus neuen Halbleitermaterialien anzubieten. Das

Produktportfolio auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie – ein wesentliches neues

Halbleitermaterial für Energiesparchips – wird daher massiv ausgebaut, um die

steigende Nachfrage unter anderem in den Bereichen Industrieelektronik, Elektromobilität und erneuerbarer Energieerzeugung zu bedienen. Im Zuge dieser strategischen Initiative investiert der Halbleiterkonzern noch im laufenden Geschäftsjahr 35 Millionen Euro in die Entwicklungs- und Fertigungsaktivitäten für Siliziumkarbid bei Infineon Austria in Villach. Das Investitionspaket umfasst die Weiterentwicklung von Halbleiter-Prozesstechnologien, modernste Fertigungsanlagen sowie die Erweiterung von bestehender Produktionsinfrastruktur. Allein in Villach werden dafür 30 zusätzliche, höchstqualifizierte Arbeitsplätze in Forschung, Technologieentwicklung sowie im Produktmanagement geschaffen.

"Wir sind überzeugt, dass die Siliziumkarbid MOSFET-Technologie gerade am

Wendepunkt steht und kurz- und mittelfristig enormes Wachstumspotential hat",

sagt Peter Wawer, Division-Präsident Industrial Power Control von Infineon. "Wir

wollen in diesem Bereich eine globale Führungsrolle einnehmen und starten daher

ein Investitionsprogramm, um unser Portfolio von Siliziumkarbid-Produkten in den

Infineon-Divisionen Industrial Power Control, Automotive sowie Power Management

& Multimarket offensiv zu erweitern. Der Standort Villach nimmt hier als

Kompetenzzentrum für die Entwicklung und Fertigung von SiliziumkarbidHalbleitern

eine Schlüsselposition ein."

"Infineon in Villach arbeitet als wesentlicher Entwicklungs- und Innovationsstandort

im Konzern bereits seit längerem mit neuen Halbleiter-Technologien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid“, erklärt Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG. „Auf Basis dieser jahrelangen Forschungs-,

Entwicklungs- und Fertigungskompetenz können wir dieses Schwerpunktprogramm

des Konzerns jetzt in Österreich etablieren. Nachdem SiliziumkarbidLösungen

am weltweiten Markt für Leistungshalbleiter immer stärker nachgefragt

werden, hat diese Kompetenzerweiterung einen extrem hohen Stellenwert für den

Standort Villach."

Marktpotenzial deutlich spürbar

Infineon hat in den vergangenen Monaten bereits eine Reihe von neuen Siliziumkarbid-Produkten vorgestellt, die in Villach entwickelt und produziert wurden – beispielsweise aus der Familie der 1.200-V-CoolSiC-MOSFETs. Auf Grundlage der

marktführenden Expertise und des tiefen Systemverständnisses bei Leistungshalbleitern wird das Unternehmen ein umfassendes Angebot von SiliziumkarbidLösungen entwickeln, das auf verschiedene Anwendungsgebiete zugeschnitten ist. So ist die steigende Nachfrage beispielsweise bei Ladestationen für Elektroautos mit deutlich schnelleren Ladezeiten, Wechselrichtern für Solarenergieanlagen oder auch im Bereich der unterbrechungsfreien Stromversorgung bereits deutlich spürbar. Gerade in diesen Märkten ist in naher Zukunft ein sehr hohes Wachstumspotenzial zu erwarten.

Siliziumkarbid reduziert Systemkosten

Obwohl Leistungshalbleiter auf Basis der herkömmlichen Siliziumtechnologie in

den kommenden Jahren weiterhin hauptsächlich zum Einsatz kommen werden,

ermöglicht der Einsatz von Siliziumkarbid die nächsten größeren Entwicklungsfortschritte. Mit Energiesparchips auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie können deutliche Systemvorteile realisiert werden: Bis zu 80 Prozent geringere Energieverluste bei der Stromwandlung reduzieren bei gleicher Leistung die Baugrößen und die Systemkosten. Damit bilden sie die Grundlage für höchst effiziente, kleinere und leichtere Systemlösungen bei der Energiewandlung oder in der Elektromobilität.

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